мишень для ионного распыления
- мишень для ионного распыления
- dulkinamasis jonų taikinys
statusas T sritis radioelektronika
atitikmenys: angl. ion sputtering target
vok. Zerstäubungskatode, f; Zerstäubungstarget, n
rus. мишень для ионного распыления, f
pranc. cible du réacteur de pulvérisation ionique, f
Radioelektronikos terminų žodynas. – Vilnius : BĮ UAB „Litimo“.
Kazimieras Gaivenis, Gytis Juška, Vidas Kalesinskas.
2000.
Look at other dictionaries:
Zerstäubungskatode — dulkinamasis jonų taikinys statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. ion sputtering target vok. Zerstäubungskatode, f; Zerstäubungstarget, n rus. мишень для ионного распыления, f pranc. cible du réacteur de pulvérisation ionique, f … Radioelektronikos terminų žodynas
Zerstäubungstarget — dulkinamasis jonų taikinys statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. ion sputtering target vok. Zerstäubungskatode, f; Zerstäubungstarget, n rus. мишень для ионного распыления, f pranc. cible du réacteur de pulvérisation ionique, f … Radioelektronikos terminų žodynas
cible du réacteur de pulvérisation ionique — dulkinamasis jonų taikinys statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. ion sputtering target vok. Zerstäubungskatode, f; Zerstäubungstarget, n rus. мишень для ионного распыления, f pranc. cible du réacteur de pulvérisation ionique, f … Radioelektronikos terminų žodynas
dulkinamasis jonų taikinys — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. ion sputtering target vok. Zerstäubungskatode, f; Zerstäubungstarget, n rus. мишень для ионного распыления, f pranc. cible du réacteur de pulvérisation ionique, f … Radioelektronikos terminų žodynas
ion sputtering target — dulkinamasis jonų taikinys statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. ion sputtering target vok. Zerstäubungskatode, f; Zerstäubungstarget, n rus. мишень для ионного распыления, f pranc. cible du réacteur de pulvérisation ionique, f … Radioelektronikos terminų žodynas
Магнетронное распыление — Магнетронное распыление это технология нанесения тонких плёнок на подложку с помощью магнетрона. Основы технологии Принцип магнетронного распыления основан на образовании над поверхностью катода кольцеобразной плазмы в результате… … Википедия
Катодное распыление — ионное распыление, разрушение отрицательного электрода (катода) в газовом разряде под действием ударов положительных ионов. В более широком смысле разрушение твёрдого вещества при его бомбардировке заряженными или нейтральными частицами.… … Большая советская энциклопедия